TiO2膜消光系数的确定及制备参量的影响

来源 :光学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hanqianggege
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
基于窄带干涉滤光片的峰值透射率测量可以直接反演出薄膜的消光系数,从而得到了一种简易而又精确的评价薄膜微弱损耗的新方法。阐述了确定弱吸收薄膜消光系数的基本原理,并分析了这种评价方法的基本精度。讨论了离子束溅射TiO2薄膜的制备参量对薄膜消光系数的影响。发现溅射速率和氧分压是影响TiO2薄膜损耗的灵敏因素。在保持其它参量不变的条件下,溅射速率从0.35nm/s下降到0.23nm/s,TiO2薄膜的消光系数从3.9×10-5下降到2.1×10-5;辅助离子源的Ar∶O比从1∶2变化为1∶4,对应的消光系数从5.6×10-5下降到2.3×10-5。此外,随着基板温度的提高,损耗也会有所增加。TiO2薄膜消光系数评价的合理性表明由窄带滤光片的峰值透射率来反演薄膜的消光系数是可行的。 Based on the measurement of the peak transmittance of the narrow-band interference filter, the extinction coefficient of the film can be directly inverted, so that a simple and accurate new method for evaluating the weak loss of the film is obtained. The basic principle of determining the extinction coefficient of weakly absorbing film is expounded, and the basic accuracy of this method is analyzed. The effects of preparation parameters of ion beam sputtered TiO2 film on the extinction coefficient of film are discussed. It was found that the sputtering rate and oxygen partial pressure are the sensitive factors that affect the loss of TiO2 thin films. The sputtering rate decreased from 0.35nm / s to 0.23nm / s while the other parameters were kept constant. The extinction coefficient of TiO2 film decreased from 3.9 × 10-5 to 2.1 × 10-5. The Ar: O ratio changes from 1: 2 to 1: 4, and the corresponding extinction coefficient decreases from 5.6 × 10-5 to 2.3 × 10-5. In addition, as the substrate temperature increases, the loss will increase. The rationality of TiO2 film extinction coefficient evaluation shows that it is feasible to invert the film extinction coefficient by the peak transmittance of narrowband filter.
其他文献
合成了含F e2+的脂氧合酶模型化合物[F e(CTB)C l]C l.3CH3CH2OH.H2O(CTB为N,N,N,′N′-四(2′-苯并咪唑甲基)邻二胺反式-环己烷).该配合物属单斜晶系,P 21/n空间群.晶胞参数
为了实现激光二极管抽运的Yb:YAG晶体克尔透镜锁模运转,采用波长在930 nm的激光二极管单向抽运Yb:YAG晶体,利用五镜谐振腔,在腔内没有插入硬光阑的情况下,实现了Yb:YAG晶体的
利用电弧喷铝并重熔后进行电解等离子体处理(EPP)的方法在Q235钢基体上制备出呈冶金结合的Al2O3陶瓷层.利用XRD,SEM和EDS等手段对陶瓷层的成分和显微组织进行了分析,测定了陶
用飞秒脉冲激光,研究了二氢卟吩光敏剂CPD3分子在双光子激发(TPE)下的光物理过程.报道了该分子在四氢呋喃(THF)溶剂中的TPE荧光光谱及其寿命,以及在波长800nm处的双光子吸收(
Azobenzene multilayers were fabricated on silicon substrates by electrostatic self-assembly technology. Rough silicon substrates were prepared by photolithograp
利用拓展的Riccati方程映射法,得到了(2+1)维Boiti-Leon-Pempinelli系统新的变量分离解.根据得到的分离变量解,构造出该系统新型的孤子结构--方孤子和分形孤子.
研究广义经典力学系统的对称性和一类新型守恒量--Mei守恒量.在高维增广相空间中建立了系统的运动微分方程;给出了系统的Mei对称性、Noether对称性和Lie对称性的判据;得到了
采用密度泛函B3LYP和组态相互作用方法在6-311++G** 水平上计算了甲烷从基态到前六个激发态的跃迁波长,振子强度,自发辐射系数An0和吸收系数B0n(n=1-6).同时研究了外电场对甲
研究两个对称非线性耦合混沌系统的同步问题.通过对系统线性项与非线性项的适当分离,构造一个特殊的非线性耦合项,发现在耦合强度α=0.5附近的某一区域里存在稳定的混沌同步
研究了双量子点系统中的电子隧穿动力学过程,在考虑电子与声子相互作用的情况下用基于正则变换的微扰方法解析地得到了电子动态隧穿电流的表达式.并且详细分析电子与声子耦合