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探讨了使用S参数设计低噪声放大器(LNA)的方法。设计采用了PHEMT晶体管(ATF-35143)。设计过程首先从等效集总元件电路模型设计入手,然后对如何提高电路稳定性,降低噪声系数等方面进行了探讨,最后给出了工作带宽为1650M~2350M,增益G>29dB,增益平坦度GF±1dB,噪声系数NF<0.8dB的两级低噪声放大器的电路仿真结果。