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薄栅氧化层的退化、击穿与氧化层中和界面陷阱的产生相关,本文研究了在恒电流TDDB(Time-Depen-dent Dielectric Breakdown)应力条件下8.9nm薄氧化层的电化学特性退化、击穿情况,研究表明,电子在穿越SiO2晶格时与晶格相互作用产生陷阱,当陷阱密度达到某一临界密度Nbd时,氧化层就击穿,Nbd可以用来表征氧化层的质量,与测试电流密度无关,击穿电量Qbd随测试电流密度