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对SiGeHBT低频噪声的各噪声源进行了较全面的分析，据此建立了SPICE噪声等效电路模型，进一步用PSPICE软件对SiGeHBT的低频噪声特性进行了仿真模拟。研究了频率、基极电阻、工作电流和温度等因素对低频噪声的影响。模拟结果表明，相较于siBJT和GaAsHBT，SiGeHBT具有更好的低频噪声特性；在低频范围内，可通过减小基极电阻、减小工作电流密度或减小发射极面积、降低器件的工作温度等措施来有效改善SiGeHBT的低频噪声特性。所得结果对SiGeHBT的设计和应用有重要意义。