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单粒子效应是当前集成电路抗辐射加固的研究重点之一．根据空间辐射粒子特点，提出一种基于Weibull函数的单粒子注入脉冲模型，该模型利用Weibull函数对瞬时脉冲直接进行电路级描述．实验证明，该模型与传统器件级电流注入脉冲模型的SER统计数据拟合度高达98．41％，同时可将电路模拟时间缩短3个数量级，在高速超大规模集成电路的单粒子效应研究中，具有明显的模拟速度优势，为深亚微米级的抗辐射加固研究提供了坚实的理论基础．