半导体异质外延薄膜质量的X射线衍射检测方法

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本文介绍了一种使用X射线宽角测角仪和双晶测角仪相配合的检测半导体体异质外延薄膜的方法。其特点是快速且不损样品,特别适合大于配度的外延生长的条件试验检测,也可用于器件生产过程中的外延质量的监控。此法还可用于各种超晶格结构参数的测量。
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