【摘 要】
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用直流反应溅射淀积的AlN薄膜对GaAs功率MESFET进行了钝化。给出了钝化后器件的直流特性。器件的直流参数BVGD、IDSS和Vp在钝化后几乎没有改变。还给出了器件的微波特性。实
【机 构】
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用直流反应溅射淀积的AlN薄膜对GaAs功率MESFET进行了钝化。给出了钝化后器件的直流特性。器件的直流参数BVGD、IDSS和Vp在钝化后几乎没有改变。还给出了器件的微波特性。实验证明，AlN钝化的器件性能较好，它是一种很有前途的GaAs钝化材料。
The GaAs power MESFETs were passivated by DC reactive sputter deposited AlN films. The DC characteristics of the device after passivation are given. The DC parameters of the device BVGD, IDSS and Vp almost unchanged after passivation. The microwave characteristics of the device are also given. Experiments show that, AlN passivated device performance is better, it is a promising GaAs passivation material.
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