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考虑电子有效质量、材料介电常数及禁带宽度随流体静压力的变化，以及准二维电子气对杂质库仑势的屏蔽影响，利用变分法讨论有限深量子阱中的施主杂质态能级．对GaAs／AlxGa1-xAs量子阱系统中的杂质态结合能进行了数值计算，给出结合能随铝组分、阱宽和压力的变化关系，并讨论了有无屏蔽时的区别．结果表明，屏蔽效应随着压力增加而增加且显著降低杂质态的结合能．