【摘 要】
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采用直流磁控溅射方法制备出铒(Er)薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究了溅射功率对Er薄膜微观结构的影响.结果 表明:在溅射功率20W～60W的范围内,Er薄膜均为
【机 构】
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西南科技大学材料科学与工程学院,四川绵阳621010中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川 绵阳621900;西南科技大学材料科学与工程学院,四川绵阳,621010;中国工程物理研究院激光聚变研究中
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采用直流磁控溅射方法制备出铒(Er)薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究了溅射功率对Er薄膜微观结构的影响.结果 表明:在溅射功率20W～60W的范围内,Er薄膜均为hcp结构,且呈现明显的(110)晶面择优取向的微观织构.Er薄膜生长呈现柱状晶模式,随着溅射功率的增加,柱状晶组织相应长大,薄膜结构更加致密,表面更为平整,其平均晶粒尺寸7.7nm～9.6nm,表面粗糙度最低2.1nm.磁控溅射方法制备的Er薄膜与电子束蒸发等方法制备的Er薄膜相比具有不同的微观结构特征.
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