二次曝光法测量单晶硅的弹性矩阵

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利用二次曝光法,在外力作用下对以(100)面单晶硅为样品所构造的四点简支梁模型的应变进行了测量,并分析了样品的主应力,从而得出该样品的一个弹性常数,对反应应力与应变关系的弹性矩阵示性曲面进行了初步探索.
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