【摘 要】
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采用MOCVD方法,在蓝宝石衬底上以低温GaN为缓冲层生长了GaN外延层.以上述材料制备了金属-半导体-金属(M-S-M)光导型GaN探测器.该探测器的光谱响应表明:器件在330～360 nm内有高
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采用MOCVD方法,在蓝宝石衬底上以低温GaN为缓冲层生长了GaN外延层.以上述材料制备了金属-半导体-金属(M-S-M)光导型GaN探测器.该探测器的光谱响应表明:器件在330～360 nm内有高的灵敏度,并且在360 nm附近有陡峭的截止边,对可见光和近红外光几乎没有响应,在5 V偏压下358 nm处峰值响应度高达1 200 A/W.研究了光从探测器的正、背面入射时对响应度的影响,并讨论了其原因.
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