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为了减小射频LDMOS器件中场极板寄生电容，提出一种具有分布式源场极板结构的射频LDMOs器件，给出了器件结构及工艺流程。借助微波EDA软件AWR对场极板进行了三维电磁仿真优化设计。仿真及测试结果表明，所设计的分布式源场极板结构在不影响器件击穿电压的条件下，能有效减小LDMOS器件寄生电容，提升器件增益、效率及线性度等射频性能。