采用532 nm锁模激光研究量子阱中的带填充效应

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【摘要】

：

采用532nm锁模脉冲激光和时间分辨测量系统测量了InGaAs/GaAa单量子阱在77K时,不同激发功率下的时间分辨光致发光谱.结果表明,在低激发功率时,阱中的发光峰的位置随时间变化不大.而在175mW激发时,发光峰在刚激发时就向短波移动10meV以上,然后随时间向长波移动.结果明确显示了存在于阱中的带填充效应.

【作者】

：

钱士雄李郁芬彭文基李庆行余振新

【机构】

：

复旦大学物理系,上海200433中山大学激光光谱研究所,广州510275

【出处】

：

光学学报

【发表日期】

：

1992年12期

【关键词】

：

量子阱光致发光带填充效应 quantum well photoluminescen e band-filling eifect

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