【摘 要】
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用质量比为1%∶0.2%（质量分数）的Sn、S混合粉末在玻璃衬底上热蒸发沉积SnS薄膜,氮气保护下对薄膜进行350℃、40min热处理后,得到简单正交晶系SnS多晶薄膜,薄膜的电阻率为103Ω.
【机 构】
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内蒙古大学物理科学与技术学院,内蒙古自治区高等学校半导体光伏技术重点实验室
【基金项目】
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内蒙古自治区自然科学基金资助项目（2009MS0109）, 内蒙古自治区高等学校科技资助项目（NJ10017）
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用质量比为1%∶0.2%（质量分数）的Sn、S混合粉末在玻璃衬底上热蒸发沉积SnS薄膜,氮气保护下对薄膜进行350℃、40min热处理后,得到简单正交晶系SnS多晶薄膜,薄膜的电阻率为103Ω.cm,选择2%和4%（质量分数）的Zn掺杂来改善SnS薄膜的导电性。研究表明,SnS∶Zn薄膜最有效的热处理条件为300℃、40min,掺Zn后薄膜的物相结构转为简单正交和面心正交晶系混合相,SnS∶Zn薄膜（2%和4%（质量分数））的电阻率在1.8528×10-3～4.944×10-4Ω.cm
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