【摘 要】
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研制了一款工作在Ku波段的大功率GaN功率放大器，功率放大器采用4个栅宽为9.6 mm的GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）进行功率合成，总栅宽为38.4 mm。以提取的小信号S参数和大信号负载牵引结果为依据，采用ADS仿真软件进行匹配电路仿真设计。该GaN功率放大器在14.5～15.0 GHz频率范围内的输出功率（Pout）大于200 W，功率增益（Gp）大于7 d B，最高功率附加效率（ηPA
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研制了一款工作在Ku波段的大功率GaN功率放大器，功率放大器采用4个栅宽为9.6 mm的GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）进行功率合成，总栅宽为38.4 mm。以提取的小信号S参数和大信号负载牵引结果为依据，采用ADS仿真软件进行匹配电路仿真设计。该GaN功率放大器在14.5～15.0 GHz频率范围内的输出功率（Pout）大于200 W，功率增益（Gp）大于7 d B，最高功率附加效率（ηPAE）达到43%。
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