【摘 要】
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采用放电等离子烧结(SPS)技术+粉末冶金法来制备低膨胀、低密度、高导热的Si/Al电子封装材料。通过测定和对比不同SPS烧结工艺参数下的电子封装材料的性能,分析工艺参数(烧结
【机 构】
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武汉科技大学钢铁冶金及资源利用省部共建教育部重点实验室;
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(51074116)
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采用放电等离子烧结(SPS)技术+粉末冶金法来制备低膨胀、低密度、高导热的Si/Al电子封装材料。通过测定和对比不同SPS烧结工艺参数下的电子封装材料的性能,分析工艺参数(烧结压力、烧结温度、Si含量)对烧结样性能(致密度、热导率、热膨胀系数)的影响规律,探讨其影响机制。结果表明:控制烧结温度为550℃,烧结压力48MPa,Si含量为50vol%可制备制备低膨胀、低密度、高导热的Si/Al电子封装材料,其致密度可达96%,热导率可达120W/(m·K),热膨胀系数可达11 mm/K。
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