磁控反应溅射SiNx薄膜的研究

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【摘要】

：

用磁控反应溅射(RF)的方法制备了SiNx薄膜.分析了以硅为靶材,用N2/Ar做溅射气体条件下不同的气流比率、总气压以及沉积速率对薄膜光学常数和表面结构形态的影响,得出较低总气

【作者】

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朱勇沈伟东叶辉顾培夫

【机构】

：

浙江大学现代光学仪器国家重点实验室

【出处】

：

光子学报

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

：

SiNx薄膜磁控反应溅射光学常数 Silicon nitride thin film R.F. magnetron sputtering Optical

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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用磁控反应溅射(RF)的方法制备了SiNx薄膜.分析了以硅为靶材,用N2/Ar做溅射气体条件下不同的气流比率、总气压以及沉积速率对薄膜光学常数和表面结构形态的影响,得出较低总气压下气流比率对薄膜光学常数的影响是最关键的,而总气压较大的时候,水汽影响增大,气流比率的影响反而不明显.最后提出了合适的工艺条件来制备符合要求的SiNx薄膜.

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