【摘 要】
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利用X射线技术研究了掺Si GaAs单晶的 Ga 小晶面生长区 (S区)和非小晶面生长区(N区)的界区结构状态.在同一锭条中,分别切取(100)、(011)和(111)三个晶片.对每个晶片摄取不同
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利用X射线技术研究了掺Si GaAs单晶的 Ga 小晶面生长区 (S区)和非小晶面生长区(N区)的界区结构状态.在同一锭条中,分别切取(100)、(011)和(111)三个晶片.对每个晶片摄取不同衍射矢量的形貌相.实验观测到S、N区有一条明显的交界区.在界区呈现(hkl)和((h|-)(k|-)(l|-))的衍射强度互补.研究结果表明:在S、N交界区存在晶格弯曲.弯曲晶面接近(111)面并使(220)晶面的取向变化最大.
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