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通过对西藏冈底斯地区错勤—申扎大地电磁测深剖面的研究,揭示了该地区壳幔结构特征.上地壳底界面深度大约20km,在扎日南木错以西和当惹雍错以东地区分别发育壳幔高导层（体）.高导层（体）的中心———电阻率低值区出现在20～40km深度,其根部可追踪到上地幔.从高导层（体）的发育特征推断：错勤—申扎剖面壳幔高导层（体）是在印度板块与欧亚板块主、晚碰撞阶段地幔热流物质上涌和后碰撞阶段地壳东西向拉张作用下,导致中、下地壳岩石相继发生两期部分熔融的结果.而当惹雍错可能是一条深度可能达到上地幔的深、大断裂.