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东芝正在研发10nm制程闪存技术
东芝正在研发10nm制程闪存技术
来源 :信息记录材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ansunyou
【摘 要】
:
东芝公司在美国华盛顿举行的国际电子元件大会(International Electron Devices Meeting,IEDM)上宣布,他们已经为10nm制程闪存开发出了一种新的双隧道层技术,有望在未来实现超过10
【作 者】
:
蔚慧
【出 处】
:
信息记录材料
【发表日期】
:
2008年1期
【关键词】
:
闪存技术
东芝公司
制程
DEVICES
研发
电子元件
存储密度
华盛顿
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东芝公司在美国华盛顿举行的国际电子元件大会(International Electron Devices Meeting,IEDM)上宣布,他们已经为10nm制程闪存开发出了一种新的双隧道层技术,有望在未来实现超过100Gb的存储密度,比目前的技术领先4代。
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