JT—60U中半径大的输运垒的高性能反剪切等离子体

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JT-60U中反剪切等离子体的运行已扩展到了保持着一个半径大的输运势垒的低q、高Ip区域,并达到了高的聚变性能。JT-60U上获得的氚-氚(DT)等效功率增益的记录值为:QeqDT=1.05,τE=0.97s,nD(0)=4.9×10^19m^-3及Ti(0)=16.5keV。由正好位于qmin位置内的电子密度、电子温度和离子温度的陡梯度所表征的有大半径的内部输运垒(ITB)的形成导致了大的约束改
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