CdTe纳米线/纳米管薄膜电沉积法制备研究

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使用电沉积方法,在碱性体系中Ni箔表面制得直径约为100 nm的CdTe纳米线/纳米管薄膜,并系统研究了电位、镀液浓度及热处理对于该材料微观形貌的影响。XRD结果证明,未经退火处理的薄膜由CdTe相和单质Cd相组成,经300℃N2气氛保护条件下退火4 h后得到的薄膜仅含CdTe相,并有效提高结晶度。SEM结果显示薄膜的微观形貌为纳米线结构,TEM结果进一步证明CdTe纳米线内部为中空结构,形成纳米线/纳米管结构。另外,电沉积实验结果表明,沉积电位对于CdTe纳米线/纳米管结构的形成具有决定作用,表现为阴极电位越正越有利于纳米线结构的形成。 Electrodeposition was used to fabricate CdTe nanowire / nanotube films with a diameter of about 100 nm on the surface of Ni foil in alkaline solution. The effects of potential, bath concentration and heat treatment on the microstructure were studied systematically. The results of XRD showed that the films without annealing were composed of CdTe phase and elemental Cd phase. The films obtained after annealed at 300 ℃ under N2 atmosphere for 4 h contained only CdTe phase and effectively increased the crystallinity. The SEM results showed that the morphology of the films was nanowire structure. The TEM results further demonstrated that the interior of CdTe nanowires was hollow and formed nanowire / nanotube structure. In addition, the results of electrodeposition experiments show that the deposition potential plays a decisive role in the formation of CdTe nanowire / nanotube structure, which shows that the more the cathode potential is, the more conducive to the formation of nanowire structure.
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