论文部分内容阅读
天线结构是监控半导体工艺过程中等离子体损伤的一种典型结构，一般主要用来监控MOS器件栅氧的损伤。文中，该结构用来监控横向PNP（LPNP）管工艺过程中的发射极结损伤。实验发现，带天线结构的LPNP管的输出曲线容易出现翘曲现象，分析认为该异常不是由于发射极结损伤造成的，因为发射极结工艺过程中并没有受到损伤。同时发现该翘曲现象在LPNP管保护环接低电位时会消失，该低电位在很大范围内变化时，输出曲线基本一致，且输出曲线电流较保护环悬空时的电流整体偏大，在集电极电压较大时，输出电流和保护环悬空时的电流一致。