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本文介绍了一种无卤高CTI覆铜箔基板材料的研制方式,通过对环氧树脂体系、固化剂体系、填料的种类和类型的选择和适当的比例搭配,得到一种玻璃化转变温度为150℃、漏电起痕指数CTI测试在600V以上,热冲击288℃浸锡5 min以上不爆板,可适合无铅制程的无卤素、高CTI基板制造所使用。
无卤高CTI覆铜板的研制
【摘 要】
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本文介绍了一种无卤高CTI覆铜箔基板材料的研制方式,通过对环氧树脂体系、固化剂体系、填料的种类和类型的选择和适当的比例搭配,得到一种玻璃化转变温度为150℃、漏电起痕指
【机 构】
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广东汕头超声电子股份有限公司覆铜板厂
【出 处】
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覆铜板资讯
【发表日期】
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2019年5期
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