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ROHM近日于世界率先开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET,并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%,这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。
ROHM：率先量产沟槽型SiC-MOSFET,看好太阳能、工业等领域前景
【摘 要】
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ROHM近日于世界率先开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET,并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%,这将大幅降低太
【出 处】
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电子产品世界
【发表日期】
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2015年8期
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