【摘 要】
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介绍了一种基于天线优化的GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的高灵敏度室温太赫兹探测器。在太赫兹波辐射下,太赫兹天线可以高效收集太赫兹波的能量进而提高探测器的性能指
【机 构】
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苏州科技大学电子与信息工程学院,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室,
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介绍了一种基于天线优化的GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的高灵敏度室温太赫兹探测器。在太赫兹波辐射下,太赫兹天线可以高效收集太赫兹波的能量进而提高探测器的性能指标。利用有限时域差分(FDTD)法对太赫兹天线的特征尺寸(源、漏极天线之间的间距Lw以及栅极天线的栅长Lg)进行了优化研究。研究结果表明当Lg一定时,探测器的响应度随着Lw的减小而增大,并从实验上制备出了响应度为9.45×102 V/W的室温GaN/AlGaN HEMT太赫兹探测器。对优化后的器件进行了1×9线阵列探测器的制备和测试,探测器的电学特性一致性较好,响应度仅有约10%的误差。
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