Zn空位缺陷ZnS的电子状态、磁性质与光学性质研究

来源 :量子电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cker

【摘要】

：

基于密度泛函理论第一性原理,研究了Zn空位缺陷对ZnS半导体材料电子状态、磁性质和光学性质的影响.结果表明Zn空位缺陷浓度为6.25%时,ZnS半导体材料仍呈直接带隙型能带结构,

【作者】

：

韦树贡房慧王如志李凡生黄灿胜郝五零孙毅

【机构】

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广西民族师范学院物理与电子工程学院,北京工业大学材料科学与工程学院,云南师范大学数学学院,昌吉学院物理系

【出处】

：

量子电子学报

【发表日期】

：

2018年4期

【关键词】

：

材料 ZNS Zn空位缺陷磁性光学性质 materials ZnS Zn vacancy defect magnetic properties optica

【基金项目】

：

国家自然科学基金,11347141,11402225,广西省自然科学基金,2015GXNSFBA139014,云南省自然科学基金,2016FB012

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基于密度泛函理论第一性原理,研究了Zn空位缺陷对ZnS半导体材料电子状态、磁性质和光学性质的影响.结果表明Zn空位缺陷浓度为6.25%时,ZnS半导体材料仍呈直接带隙型能带结构,带隙较本征ZnS半导体增大了6.4%,达到2.19 eV.缺陷体系s态、p态电子主要在距离费米能量较近的区域产生能带,数量较少;Znd态电子主要在距离费米能量较远的区域产生能带.Zn空位缺陷对ZnS半导体材料是一种空穴型掺杂,Zn空位会增加ZnS的空穴型载流子浓度.其价带空穴具有较大有效质量,导带电子具有较小有效质量,Zn空位缺陷

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