【摘 要】
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采用化学聚合方法,在高锰酸钾处理过的环氧树脂表面生成一层聚噻吩,应用聚噻吩作为导电载体实现环氧树脂表面的直接电镀铜,并对聚噻吩的结构与生长形貌以及铜层生长效果进行
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,奈电软性科技电子（珠海）有限公司技术中心,四川英创力电子科技股份有限公司
【基金项目】
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国家自然基金项目(61474019和61604034);广东省科技计划项目(2016B090918095)
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采用化学聚合方法,在高锰酸钾处理过的环氧树脂表面生成一层聚噻吩,应用聚噻吩作为导电载体实现环氧树脂表面的直接电镀铜,并对聚噻吩的结构与生长形貌以及铜层生长效果进行了表征。结果表明,在EP基板上合成聚噻吩能用于直接电镀铜,合成的聚噻吩为无定型结构,其表面平均电阻约为2.55 kΩ,聚噻吩上电镀铜后,铜层的平均电阻值为0.25Ω,电镀铜层纵向与横向粗糙度分别为10.76μm和2.06μm,铜镀层的沉积速率达到71.4μm/h。
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