用MeV离子透射沟道来研究Si(100)-Au界面

来源 :中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) | 被引量 : 41次 | 上传用户:lost123321
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本文描述了用能量为MeV的He离子透射沟道技术来研究Si(100)-Au界面反应初始阶段的问题。由于透射的MeV He离子在样品出口面处有很强的流峰,也由于不存在Au表面层对Si原子的遮蔽问题,因而有可能更好地确定Au原子的晶格位置。实验表明,在Au原子低覆盖时,至少直至1.5原子层时,淀积在Si(100)2×1表面的Au原子是按衬底的原子结构来堆积的。随着Au的覆盖的增加,Au的角扫描曲线的谷而变浅。当Au的覆盖层达到10原子层时,在角扫描中沟道谷消失,这表明,在这个阶段形成了非晶形的硅化金。
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