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针对Si-SiO2过渡区对子离注入较为敏感的特点,用1.2MeV,剂量1×10^10cm^-2的Fe^+和H^+先后注入SiO2-Si样品,并用XPS技术重点分析了Si^4+,Si^0价态,还存在明显的Si^2+价态,这和注入H^+价态。这和注入H^+产生的高温退火以及Si-Si键或Si-H键的形成有关。