光折变晶体Ce:BaTiO_3电光和压电系数的测量

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【摘要】

：

用干涉仪的方法测量了Ｃｅ：ＢａＴｉＯ３晶体的低频电光系数和压电系数．排除压电效应对光通过晶体引起相位的变化，得到低频下经极化的Ｃｅ：ＢａＴｉＯ３单晶的电光系数ｒ４２＝１９４５±２２０ｐｍ／Ｖ和ｒ１３＝１１８±１ｐｍ／Ｖ．从而，为研究Ｃｅ：ＢａＴｉＯ３晶体的光折变效应和理论计

【作者】

：

朱镛牛小娟刘宏斌

【机构】

：

中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心

【出处】

：

物理学报

【发表日期】

：

1997年04期

【关键词】

：

光折变晶体 Ce 压电系数电光系数偏振方向可见光波段电光效应干涉仪测量入射光波长范围

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用干涉仪的方法测量了Ｃｅ：ＢａＴｉＯ３晶体的低频电光系数和压电系数．排除压电效应对光通过晶体引起相位的变化，得到低频下经极化的Ｃｅ：ＢａＴｉＯ３单晶的电光系数ｒ４２＝１９４５±２２０ｐｍ／Ｖ和ｒ１３＝１１８±１ｐｍ／Ｖ．从而，为研究Ｃｅ：ＢａＴｉＯ３晶体的光折变效应和理论计算提供了精确的线性电光系数

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