中子辐照GaAs的X射线漫散射研究

来源 :材料研究学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:FXH_590590
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用X射线漫散射研究了中子辐照GaAs中的缺陷,结果表明:中子辐照产生点缺陷团,辐照剂量为10^19m^-2和10^21m^-2时,缺陷团的平均半径分别为387nm和455nm,这可能高剂量辐照下损伤区域交叠的结果,平均半径随退火温度的升高而减小是间隙原子与空位复合造成的。
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