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真空共蒸发在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜。研究不同Cu、In、S元素配比、不同热处理条件对薄膜的结构、化学计量比及光学性能的影响．实验结果给出：在元素配比中S的原子比x选择极为重要（实验选0．2≤x≤2），本实验Cu、In、S最佳原子比为1：0．1：1．2。用x（CU）：x（In）：z（S）=1：0．1：1．2原子比混合沉积的薄膜，经400℃热处理20min后，得到黄铜矿结构的CulnS：薄膜，沿[112]晶向择优生长，平均晶粒尺寸为38．06nm；薄膜表面致密平整，厚度为454．8nm，表面粗糙度为1