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利用激光分别以0°、30°、45°、60°的入射角对多晶硅片表面进行刻蚀,然后用10%NaOH溶液腐蚀去除损伤层,从而构造多晶硅片表面织构。采用光谱仪测试多晶硅片表面反射率,应用扫描电镜表征多晶硅片样品表面形貌,研究激光刻蚀角度对多晶硅片表面反射率的影响。结果表明:随激光刻蚀角度不同,多晶硅片表面反射率变化明显,其中刻蚀角度为45°时,多晶硅片表面反射率降低最为显著。