【摘 要】
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采用射频磁控溅射法在300℃真空退火处理过的同质缓冲层上制备了不同退火温度下的ZnO薄膜.使用X射线衍射仪（XRD）和光致发光（PL）等表征技术,研究了ZnO薄膜的微观结构和发光特性.结
【机 构】
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西北师范大学物理与电子工程学院甘肃省原子分子与功能材料重点实验室
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采用射频磁控溅射法在300℃真空退火处理过的同质缓冲层上制备了不同退火温度下的ZnO薄膜.使用X射线衍射仪（XRD）和光致发光（PL）等表征技术,研究了ZnO薄膜的微观结构和发光特性.结果表明：在6min缓冲层上制备的ZnO薄膜有较好的结晶质量,并且在适当的退火温度下薄膜的结晶质量进一步提高.薄膜在可见光范围内的平均透过率均超过90%,光学带隙值随退火温度的增加由3.221eV减小为3.184eV.在光致发光谱（PL）中观测到了5个主要的发光峰位,分别是紫外光（384nm）、紫光（420nm）、蓝光（45
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