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本文利用薄膜双栅ＳＯＩ器件在阈值电压附近硅膜中的常电位近似，得到一个通用的薄膜双栅ＳＯＩ器件电流模型，数值模拟结果与实验值吻合较好，文中特别对其它模型所不适用的正背栅具有不同参数的双栅ＳＯＩ器件进行了源漏电流的模拟，并对结果进行了分析。
通用薄膜双栅SOI MOSFET电流模型
【摘 要】
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本文利用薄膜双栅ＳＯＩ器件在阈值电压附近硅膜中的常电位近似，得到一个通用的薄膜双栅ＳＯＩ器件电流模型，数值模拟结果与实验值吻合较好，文中特别对其它模型所不适用的正背栅具有不同参数
【机 构】
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北京大学微电子所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1996年10期
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