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本文描述双极场引晶体管（BiFET）及其理论．把两维晶体管分解成两个一维晶体管，得到解析方程．以表面势为参变量，采用电化（准费米）势梯度驱动力计算电流．提供实用电极直流电压及器件参数范围，随直流电压变化，输出和转移电流和电导．电子和空穴表面沟道同时存在，这新特点可以用来在单管实现CMOS电路倒相和SRAM存储电路．