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[学位论文] 作者：丁怀义,,
来源：中国科学技术大学 年份：2014
ZnO材料由于具有良好的光电性能,在光电半导体领域一直倍受关注。经过近十几年的发展,ZnO纳米结构逐渐走向功能器件的领域。与此同时人们对其性能要求逐渐提高,引领着ZnO纳米...
[期刊论文] 作者：陈琪,卢威,吴昱昆,丁怀义,王兵,陈立桅,
来源：化学物理学报 年份：2014
利用场效应晶体管器件和介电力显微镜来研究氧化锌纳米线表面吸附分子对其电导率的影响. 相比于空气中，ZnO纳米线场效应晶体管器件在氮气中电导率更高，介电力显微镜得的介电信......
[期刊论文] 作者：刘金养,蔡洪冰,丁怀义,张琨,潘楠,王晓平,
来源：化学物理学报 年份：2014
第一次从实验上展现了氧化石墨烯在缺氧氧化锌薄膜表面的自发分裂，即完整的氧化石墨烯片会自发分裂成许多小片. 此现象的可能机制是：氧化石墨烯表面存在链状的环氧基团，缺氧氧化......
[期刊论文] 作者：陈玉林,李铭领,吴一鸣,李思嘉,林岳,杜冬雪,丁怀义,潘楠,,
来源：化学物理学报 年份：2017
利用两步化学气相沉积的方法，构建垂直型范德华尔斯外延的In2Se3／MoSe2异质结构．透射电子显微镜表征显示In2Se3与单层MoSe2具有一致的晶格取向．由于二维In2Se3和MoSe2之间的相互...
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