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[学位论文] 作者：严季新,,
来源： 年份：2014
随着全球市场经济一体化的发展，市场竞争变得越来越激烈，全球各企业不得不去面对一个以经济全球化为特征的全新的市场经营环境。为了能够在新的竞争环境下更好的生存和发展，企业......
[期刊论文] 作者：阎康平,严季新,
来源：电子元件与材料 年份：1999
研究了盐酸与硫酸的混酸中直流电侵蚀下，电流密度对电解电容器用于高纯铝箔的腐蚀行为的影响，结果表明：铝箔侵蚀电流密度可以决定蚀孔的尺寸和孔密度，可以使铝箔获得不同的超始发......
[期刊论文] 作者：胡广军,严季新,
来源：电子元件与材料 年份：1997
在铝电解电容器生产中，磷酸可作为腐蚀液或化成液中的溶质，也可作为水合抑制剂，在实验的基础上，介绍了磷酸在化成液中的作用及影响，建议仅在末级化液中中磷酸或其盐类，以确保箔片容......
[期刊论文] 作者：沈行素, 严季新,,
来源：电子元件与材料 年份：1996
在低压铝电解电容器生产中，铝箔常先在高温（４５０℃以上）短时间加热，形成一薄层热氧化膜，再进行阳极氧化，可形成结晶复合氧化膜，使比容增加，形成电量降低。介绍了有关这种膜的形成机理、结......
[期刊论文] 作者：沈行素, 严季新,,
来源：电子元件与材料 年份：1996
铝箔先与热水反应，再进行阳极氧化，可形成结晶复合阳极氧化膜。介绍这种膜的形成机理以及膜的结构。这种膜适用于制造中、高压铝电解电容器...
[期刊论文] 作者：邓福祥,严季新,
来源：电子元件与材料 年份：2000
碱洗预处理和侵蚀条件对阴极铝箔比容有影响。随ＮａＯＨ浓度和Ｎａ２ＰＯ４浓度的增大，侵蚀箔比容下降。碱洗的温度升高或者时间增加，避箔比容也下降。侵蚀溶液盐酸浓度为０．８５ｍｏｌ／Ｌ时侵蚀箔比容达到极大值，侵......
[期刊论文] 作者：胡广军,严季新,
来源：电子元件与材料 年份：1996
在阳离子表面活性剂－－十六烷基三甲基溴化铵（ＣＴＭＡＢ）的存在下，用经浊法对铝蚀腐液中向量硫酸根离子进行测定。硫酸根离子含量在３．０×１０＾－４－２．４×１０＾－３ｇ／５５ｍＬ人符合比耳定律。......
[期刊论文] 作者：沈行素,严季新,
来源：电子元件与材料 年份：1996
铝箔先与热水反应，再进行阳极氧化，可形成结晶复合阳极氧化膜。介绍这种膜的形成机理以及膜的结构。这种膜适用于制造中、高压铝电解电容器。...
[期刊论文] 作者：邓福祥,严季新,
来源：电子元件与材料 年份：2000
研究硝酸后处理对阴极箔比容的影响和稳定化处理形成氧化膜的机理。硝酸浓度和温度低，侵蚀箔稳定化处理后氧化膜不稳定，容量衰减快。浓度和温度高，侵蚀箔容量损失大，侵蚀箔的初始......
[期刊论文] 作者：罗泸蓉,严季新,
来源：电子元件与材料 年份：2000
改变交流电密度（Ｊ）、电解液温度（Ｔ）及盐酸浓度（Ｃ１）侵蚀电容器铝箔，并以表现电化学参数（Ｊ／ｃ１Ｔ）为依据。通过侵蚀铝箔的表面形貌和侵蚀箔比容的变化规律。研究了铝箔在纯盐酸中受「Ｃ１＾－」和（Ｈ＾＋」影响的交......
[期刊论文] 作者：张光敏, 阎康平, 严季新,,
来源：电子元件与材料 年份：1999
导电聚合物制备电极的超电容器（Ｓｕｐｅｒｃａｐａｃｉｔｏｒｓ） 有两种类型： 导电聚合物直接制备电极和导电聚合物高温热解为硬碳（Ｈａｒｄ ｃａｒｂｏｎ）制备电极的电容器。导电聚合物超电容器基于法拉第准电容（Ｆａｒａｄａｉｃｐｓｅｕ－ｄｏｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ） 原理， 进出正极的是......
[期刊论文] 作者：闫康平,王建中,严季新,
来源：电子元件与材料 年份：2001
研究高纯铝箔在盐酸直流电侵蚀时高分子缓蚀剂对隧道蚀孔密度和侵蚀箔比电容的影响,扩孔使用缓蚀剂后,孔密度增加,孔径减小,失重减少,中高压电容器铝箔的比电容约提高23%....
[期刊论文] 作者：王刚,闫康平,严季新,
来源：电子元件与材料 年份：2003
研究了硫酸/盐酸比例、温度和Al^3+含量对高纯铝箔隧道孔生长的影响，发现随着硫酸浓度增加，温度对隧道．孔极限长度和孔径的影响减小，在本文条件下隧道孔生长的临界温度最低可降低......
[期刊论文] 作者：王建中,闫康平,严季新,
来源：电子元件与材料 年份：2001
研究了电解电容器用铝箔于混合酸中在直流电侵蚀条件下，初始隧道孔的生长速度和形貌。试验条件下侵蚀初期隧道孔的初始生长速度约为5.8 mm / s，隧道孔极限长度L是47~50 mm。...
[期刊论文] 作者：王刚,阎康平,周川,严季新,
来源：电子元件与材料 年份：2002
阳极氧化铝模板具有容易制备、成本低、孔道分布均匀等特点,是制备形状高度均匀、有序纳米电子材料的理想无机模板.该模板法制得的金属、半导体和非金属纳米材料具有不同于母...
[期刊论文] 作者：邓福祥,田间,阎康平,严季新,,
来源：电子元件与材料 年份：2000
研究硝酸后处理对阴极箔比容的影响和稳定化处理形成氧化膜的机理.硝酸浓度和温度低,侵蚀箔稳定化处理后氧化膜不稳定,容量衰减快.浓度和温度高,侵蚀箔容量损失大,侵蚀箔的初...
[期刊论文] 作者：肖仁贵,闫康平,严季新,王建中,
来源：电子元件与材料 年份：2007
以Fe、Si、Cu含量不同的四种铝光箔进行直流电侵蚀对比实验,研究了高纯铝光箔中化学成分对其作为电容器用铝箔侵蚀过程产生的影响.通过对侵蚀样品的SEM表面观察、腐蚀形貌定...
[期刊论文] 作者：肖仁贵,闫康平,严季新,王建中,
来源：电子元件与材料 年份：2008
在酸性介质中已经产生隧道孔的铝箔表面，继续在中性电解液中采取直流阳极溶解时，隧道孔密度及长度与二次侵蚀时电解质类别相关。在此基础上，通过二次侵蚀前铝箔表面的酸浸泡成膜......
[期刊论文] 作者：肖仁贵,闫康平,严季新,王建中,
来源：功能材料 年份：2007
高纯铝箔通常通过电化学扩面后用作铝电解电容器的阳极材料。利用铝箔（100）面隧道孔制备纳米模板。这种纳米模板的特点是制作简单、模板面积大，纳米阵列材料形状可控性强。还利......
[期刊论文] 作者：赵华莱,闫康平,严季新,王建中,,
来源：电子元件与材料 年份：2007
介绍了典型的具有光电性能的噻吩类聚合物材料,包括烷基取代聚噻吩、联苯基取代聚噻吩、芴与噻吩共聚物及一些新型的噻吩类聚合物。对它们的结构、光学性能、电致发光性能进...
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