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[期刊论文] 作者：朱兆旻,赵青云,于宝旗,,
来源：半导体技术 年份：2014
提出了一个包含改进的准弹道输运模型的砷化镓(GaAs)高电子迁移率晶体管(HEMT)的漏电流方程。弹道输运模型是基于玻耳兹曼输运方程和迁移率的扩展定义,即单位电场中载流子在...
[期刊论文] 作者：朱兆旻, 徐国青, 于宝旗,,
来源：教育教学论坛 年份：2014
本文从作者的实际经历和体会出发，以科学史为脉络讲解大学近代物理知识，让同学们在学习看似繁琐难懂的近代物理知识过程中了解其所对应的科学史，同时穿插跟近代物理有关的科学家......
[期刊论文] 作者：赵青云,于宝旗,苏丽娜,顾晓峰,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2015
在柱坐标系下利用电势的抛物线近似,求解二维泊松方程得到了短沟道三材料柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的中心及表面电势。推导了器件阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆...
[期刊论文] 作者：赵青云,于宝旗,朱兆旻,顾晓峰,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
通过在柱坐标系下求解二维泊松方程，建立了短沟道无结柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的电势模型，并推导了阈值电压、亚阈值区电流和亚阈值摆幅的解析模型。在此基础上，分析了......
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