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[期刊论文] 作者：朱锋,赵颖,张晓丹,孙建,魏长春,任慧智,耿新华,
来源：人工晶体学报 年份：2004
采用RF-PECVD方法，在P-α-SiC：H薄膜沉积技术基础上，通过逐步减小碳、硼的掺杂浓度，增大氢稀释率，使材料从非晶态向微晶态转变，在获得本征微晶材料之后，再逐步增大硼掺杂浓度，得到P型......
[期刊论文] 作者：朱锋,赵颖,张晓丹,孙建,魏长春,任慧智,耿新华,
来源：人工晶体学报 年份：2004
采用RF PECVD方法,在P a SiC:H薄膜沉积技术基础上,通过逐步减小碳、硼的掺杂浓度,增大氢稀释率,使材料从非晶态向微晶态转变,在获得本征微晶材料之后,再逐步增大硼掺杂浓度,...
[期刊论文] 作者：朱锋, 赵颖, 魏长春, 任慧智, 薛俊明, 张晓丹, 高艳,
来源：人工晶体学报 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：朱锋,赵颖,张晓丹,魏长春,孙建,任慧智,熊绍珍,耿新华,
来源：光电子．激光 年份：2004
对RF-PECVD技术沉积p-nc-Si:H薄膜材料进行了研究.随着功率的增大材料的晶化率增大.B的掺杂可以提高材料的电导率,同时会抑制材料的晶化,在纳米Si薄膜材料中B的掺杂效率很高,...
[期刊论文] 作者：朱锋,赵颖,张晓丹,魏长春,孙建,任慧智,熊绍珍,耿新华,
来源：光电子·激光 年份：2004
对RF-PECVD技术沉积p-nc-Si:H薄膜材料进行了研究.随着功率的增大材料的晶化率增大.B的掺杂可以提高材料的电导率,同时会抑制材料的晶化,在纳米Si薄膜材料中B的掺杂效率很高,...
[期刊论文] 作者：朱锋, 赵颖, 魏长春, 任慧智, 薛俊明, 张晓丹, 高艳涛,,
来源：人工晶体学报 年份：2006
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[期刊论文] 作者：朱锋,赵颖,魏长春,任慧智,薛俊明,张晓丹,高艳涛,张德坤,,
来源：人工晶体学报 年份：2006
本文论述了薄膜非晶／微晶叠层电池中NP隧穿结对电池性能的影响。在薄膜叠层电池中非晶顶电池的N层采用微晶硅，减小了电池的内部串联电阻影响。通过调整非晶硅顶电池N层和微晶硅......
[期刊论文] 作者：杨恢东,吴春亚,麦耀华,李洪波,薛俊明,李岩,任慧智,张丽珠,耿新华,熊绍珍,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2002
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：杨恢东,吴春亚,麦耀华,李洪波,薛俊明,李岩,任慧智,张丽珠,耿新华,熊绍珍,
来源：半导体学报 年份：2002
采用 VHF- PECVD方法 ,以高氢稀释的硅烷为反应气体 ,低温条件下成功地制备了系列 μc- Si∶ H薄膜 .对薄膜的厚度测量表明 :增大激发频率和反应气压能有效提高沉积速率 ;随...
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