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[学位论文] 作者：任羿烜,
来源：电子科技大学 年份：2019
以硒化铅(PbSe)、硫化铅(PbS)、碲化铅(PbTe)为代表的Ⅳ-Ⅵ族化合物(铅盐矿物质材料)是一类典型的窄禁带半导体材料,具有直接带隙的能带结构,其带隙在常温下为0.2eV至0.4eV,适合用于红外光电探测器件的制备。PbSe具有光电性能优异,材料制备简单的优势,使得PbSe......
[期刊论文] 作者：任羿烜,芶立,冉均国,,
来源：硅酸盐通报 年份：2014
按照化学计量比Y2.94Ce0.06Al5O12,采用均相沉淀法制备了YAG：Ce荧光粉的前驱体，并将制得的前驱体分别在空气气氛，惰性气氛（N2）和还原性气氛（CO）下煅烧。采用热分析和X射线衍射图谱研......
[期刊论文] 作者：潘棋,王健,任羿烜,范旭东,程红娟,刘兴钊,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2019
采用分子束外延技术在六角铅锌矿结构CdSe单晶基片(0001)表面生长了立方结构PbSe薄膜,通过对所生长Pb-Se薄膜的X射线衍射(XRD)及透射电镜(TEM)分析,阐明了所生长立方PbSe薄膜...
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