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[期刊论文] 作者：伍烈城,
来源：半导体技术 年份：1985
单晶硅是制造半导体硅器件的重要原始材料.单晶硅有两种缺陷:生长缺陷(即原生缺陷)和二次缺陷(即诱生缺陷).如果仅有完美的晶体而没有完美的加工技术,也达不到预想的目的.在...
[期刊论文] 作者：伍烈城,
来源：半导体技术 年份：2004
一、引言 随着电子技术的飞跃发展,对半导体分立器件的电学性能和可靠性要求越来越高。同时,提高器件的生产效率、降低成本、减少原材料的消耗等是一个十分重要的问题。目前...
[期刊论文] 作者：伍烈城,
来源：半导体技术 年份：1986
在半导体器件生产过程中,普遍存在引线可焊性差的问题.整机厂在装整机使用之前,大多数都要预先刮去引线表面的涂镀层,然后重新沾锡再装机,浪费了大量的人力、物力,增加了成本...
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