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[期刊论文] 作者：高愈尊,高桥平七郎,佐藤羲一,竹山太郎,
来源：稀有金属 年份：1989
在超高压电镜中,用100万伏加速电压于室温～773K 之间对硅单晶进行电子辐照。实验发现,在含氧硅单晶中比含氢硅单晶中更易产生辐照缺陷。在含氧硅单晶中辐照缺陷密度较大,而且...
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