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[期刊论文] 作者：肖胜安,程晓华,吴智勇,许升高,季伟,何亦骅,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2012
硅通孔（Through silicon via）的互连技术是3D IC集成中的一种重要工艺。报道了一种高深宽比的垂直互连穿透硅通孔工艺,其通孔的深宽比达到50以上;研究了利用钨填充硅通孔的一些...
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