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[会议论文] 作者：何凤梅;陈聪慧;杨景兴;黄娜;王晓叶;李琦;,
来源：第一届中国国际复合材料科技大会 年份：2013
采用TG-DSC、XRD、SEM、ICP等分析手段,对某一典型多孔氮化硅样品进行4个不同温度点的静态和微动态连续氧化试验,最高氧化温度为1400℃.结果表明:多孔氮化硅在latm空气静态气...
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