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[期刊论文] 作者：曹瀚,余玮宸,柴晓光,宁圃奇,温旭辉,
来源：电源学报 年份：2020
提出了一种简洁、新颖的SiC MOSFET器件导通电阻模型,该模型采用遗传算法对其不同温度下的导通电阻进行准确描述。相比于传统的导通电阻建模方案,采用进化算法可以准确地得到...
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