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[会议论文] 作者：元民华,秦国刚,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：元民华,乔永平,宋海智,金泗轩,秦国刚,
来源：物理学报 年份：1994
〈１１１〉晶向的掺磷的ｎ型硅外延片经等离子进氢后连同未经等离子氢处理的对比片一起淀积金，制得Ａｕ／ｎ－Ｓｉ肖特基势垒。实验结果表明：氢能使Ａｕ／ｎ－Ｓｉ的肖特基势垒高度下降０．１３ｅＶ；含氢的肖特基势垒的高度可以被......
[期刊论文] 作者：姚秀琛,元民华,秦国刚,丁墨元,施益和,钱思敏,
来源：半导体学报 年份：1985
用DLTS法结合C-V法,研究了不同能量的电子辐照(0.5MeV,1MeV,5MeV)在n型LPE GaAs层中产生的E_3、E_4、E_5和P_1、P_2、P_3等缺陷的引入率及其在400—550K范围内的等时退火行为...
[期刊论文] 作者：金泗轩,元民华,王兰萍,王海萍,宋海智,秦国刚,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1993
氢能使 Ti/n-GaAs Schottky势垒下降 0.18eV之多.零偏退火使含氢的Ti/n-GaAs Schottky势垒降低,而随后的反偏退火则使含氢的 Schottky势垒增加.2h以上,100℃反偏退火后其Schottky势垒高与反偏退火的偏压之间有一一对应的关系,偏压愈大,势垒越高。......
[期刊论文] 作者：姚秀琛,元民华,贾陶涛,罗守礼,兰李桥,秦国刚,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1989
用深能级瞬态谱法,从与锂有关的缺陷的产生和锂对电照缺陷的退火的影响两个侧面,研究了不同合氧量硅中锂和电照缺陷的相互作用。指出了氧能抑制锂和电照缺陷的相互作用,只有当锂浓度不是远小于氧浓度时,锂才能有作用。E(0.17),E(0.21),E(0.38),E(0.50),H(0.42)......
[期刊论文] 作者：陈开茅,毛晋昌,武兰青,元民华,金泗轩,刘鸿飞,
来源：半导体学报 年份：1994
本文用最近发展起来的准确测量绝缘体与半导体界面态俘获截面的方法，测量了ＭＯＳ结构Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态的俘获截面，并利用这些结果将界面态的ＤＬＴＳ谱反演成界面态的能量分布，结果表明：界面态的电子俘获......
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