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[会议论文] 作者：元金山,
来源：第四届全国发光学术会议 年份：1986
该研究使用了有机金属化合物汽相沉积（MOCVD）技术制备的高质量GaXInl－XP发光材料。研究结果表明，GaxInl－XP的直接向间接跃迁的转变点为X≈0．69；在波长相同，掺同样杂质到同样水平的条......
[期刊论文] 作者：元金山,
来源：发光学报 年份：1986
用常压MOCVD技术生长了InP掺杂超晶格,所用源材料为TMIn和PH3。InP的载流子浓度低为8×1013cm-3,300K迁移率高达5744cm~2/V·s。n型掺杂剂是DETe,p型为DMZn,两者在InP中的掺杂浓度均可达～1019cm-3。用不同激发强度下的低温PL谱,时间衰减,时间分辨PL谱和光反射（PR）......
[期刊论文] 作者：缪国庆,元金山,
来源：发光学报 年份：1996
在Ａｌ_２Ｏ_３衬底上ＧａＮ的ＡＰＭＯＣＶＤ生长缪国庆，元金山，朱景义，李玉琴，洪春荣（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）含氮回一Ｖ族化合物（包括ＧａＮ、ＡＩＮ、ＩｎＮ和ＧａＡＩＮ）是直接带隙半导体材料，它们的禁带宽度可以从１．９ｅＶ到６．２.........
[期刊论文] 作者：张海明,元金山,
来源：发光学报 年份：2002
利用巯基乙酸与草酸的混合自组装单分子膜成功制备了粒径分布均匀的CdS纳米粒子,并用SEM,XRD,XPS,PL对样品进行了表征。SEM表明形成在自组装单分子膜表面上的CdS纳米粒子的平...
[期刊论文] 作者：张海明,王之建,张立功,元金山,
来源：发光学报 年份：2002
利用巯基乙酸与草酸的混合自组装单分子膜成功制备了粒径分布均匀的CdS纳米粒子,并用SEM,XRD,XPS,PL对样品进行了表征.SEM表明形成在自组装单分子膜表面上的CdS纳米粒子的平...
[期刊论文] 作者：元金山,洪春荣,付德惠,杜维江,
来源：半导体光电 年份：2004
采用多层异质液相外延技术,制出了具有开关、存储、发光等多种功能的npnp Ga_(1-x)Al_xAs负阻发光二极管。其典型参数为:阈值电压V_(th)5—50V,阈值电流I_(th)...
[期刊论文] 作者：李玉琴,缪国庆,朱景义,姜忠,元金山,
来源：半导体技术 年份：1998
采用了一种新的设计原理，即以流量计为基准，将气体入口端和出口端压力双重分别统一控制，进行了低压ＭＯＣＶＤ设计。本设备引入模拟反应室，减少了在ＶＥＮＴ－ＲＵＮ转换时反应室内的压力波动，为确保材料生长......
[期刊论文] 作者：元金山,洪春荣,杜维江,王喜林,
来源：发光与显示 年份：2004
本文报道了一种新的Gal—_xAl_xAs液相外延方法。靠控制降温速度,可以在外延表面3—4μ处得到x值均匀甚至沿生长方向有上升趋势的外延层。其外延表面光亮、缺陷少、无机械损...
[期刊论文] 作者：缪国庆,朱景义,高瑛,李玉琴,元金山,
来源：半导体技术 年份：1998
报道了用国产ＡＰＭＯＣＶＤ系统生长ＧａＮ材料。研究了ＧａＮ过渡层生长温度、氮化时间、Ⅴ／Ⅲ比对ＧａＮ外延层晶体质量、光学性质的影响。发现低温生长ＧａＮ过渡层和氮化处理有利于提高ＧａＮ外延层晶体质量，高Ⅴ／Ⅲ比可......
[期刊论文] 作者：张立功, 任新光, 蒋大鹏, 吕安德, 元金山,,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2004
测量了一系列８－羟基喹啉金属螯合物的吸收谱和发射谱。发现当喹啉螯合不同的金属阳离子，其各类光谱有不同程度的红移，本文经验地给出８－羟基喹啉金属螯合物发射谱和吸收谱移动的规律......
[期刊论文] 作者：张海明, 王之建, 张立功, 李玉琴, 元金山,,
来源：人工晶体学报 年份：2003
本文介绍一种制备ZnS∶Cu纳米荧光粉的化学合成方法。本方法中 ,通过调节巯基乙酸与甲基丙烯酸的摩尔比 ,可得到不同粒径的纳米荧光粉。用TEM ,XRD和PL谱对所制得的纳米荧光...
[期刊论文] 作者：张海明, 王之建, 张力功, 李玉琴, 元金山,,
来源：无机材料学报 年份：2002
描述了一种生产ZnS:M[M=Mn,Cu,Cu(Al)]纳米荧光粉的化学合成方法.运用本方法通过调节巯基乙酸与甲基丙烯酸的摩尔比,可在1.8～3.0nm范围内控制纳米粒子的尺寸.选择面积的电子衍...
[期刊论文] 作者：王之建,张海明,张力功,李玉琴,元金山,
来源：人工晶体学报 年份：2002
本文介绍一种适合制备MS(M=Zn,Cd)半导体纳米粉末的化学合成方法.此方法成本低,易操作,且具有一定的广泛性.本合成通过调节聚合链长和反应循环次数可在1.8nm到5nm范围内对纳...
[期刊论文] 作者：赵佰军,缪国庆,元金山,朱景义,杨树人,
来源：吉林大学自然科学学报 年份：1997
研究低温生长ＧａＮ过渡层（缓冲层）在ＡＰ－ＭＯＣＶＤ生长ＧａＮ材料过程的作用，探讨了过渡层的生长温度、时间、氮化时间等参数对ＧａＮ材料晶体质量的影响，通过对过渡层的特性参数的分析、优化、获得了Ｘ射线双晶衍......
[期刊论文] 作者：赵佰军,杨树人,缪国庆,朱景义,元金山,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
报道了原子力显微镜对ＭＯＶＰＥ生长ＧａＮ材料过渡层表面结构的观察，重点分析了氮化，退火前后过渡层结构变化的原因及其对外延生长晶体质量的影响，探讨了不同条件下ＧａＮ成核模式折变化，对ＧａＮ材料的生长......
[期刊论文] 作者：王之建,张海明,张立功,李玉琴,元金山,
来源：发光学报 年份：2002
介绍一种制备ZnS:Mn 纳米荧光粉的化学合成方法.本合成通过调节甲基丙烯酸与巯基乙酸的摩尔比,可在1.8～3nm范围内对纳米粒径进行很好的控制.生成的聚甲基丙烯酸包敷了ZnS∶Mn...
[期刊论文] 作者：缪国庆,朱景义,李玉琴,洪春荣,元金山,
来源：发光学报 年份：1996
本文报导了用国产常压ＭＯＣＶＤ系统生长ＧａＩｎＰ材料．研究ＧａＩｎＰ的生长特性，用光致发光、扫描电镜、Ｘ光双晶衍射对材料进行表征．发现Ⅴ／Ⅲ比对ＧａＩｎＰ的光学特性有很大影响．在温度６８０℃，Ⅴ／Ⅲ比为９０的条件下得到Ｇａ（０．５１）Ｉｎ（０．４９）Ｐ外延层的......
[期刊论文] 作者：高瑛,缪国庆,吕少哲,元金山,黄世华,
来源：光子学报 年份：1997
本文通过变温和变激发强度的光致发光研究了用MOCVD在Al2O3上生长GaN单晶薄膜的带边发射，通过分峰拟合得到A、B、C、D四个谱峰，其中半峰宽分别为13．8meV10.8meV、15.6meV和50meV...
[期刊论文] 作者：缪国庆,元金山,朱景义,李玉琴,洪春荣,
来源：发光学报 年份：1996
在Ａｌ_２Ｏ_３衬底上ＧａＮ的ＡＰＭＯＣＶＤ生长缪国庆，元金山，朱景义，李玉琴，洪春荣（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）含氮回一Ｖ族化合物（包括ＧａＮ、ＡＩＮ、ＩｎＮ和ＧａＡＩＮ）是直接带隙半导体材料，它们的禁带宽度可以从１．９ｅＶ到６．２...Growth of GaN......
[期刊论文] 作者：张海明,王之健,张力功,元金山,阎圣刚,
来源：人工晶体学报 年份：2002
ZnO是一种重要的紫外半导体光电器件材料.本文用金属有机化合物在玻璃管内高温加热分解迅速拉制的方法,在直径为169μm的玻璃丝内成功的制备了直径为13μm左右的ZnO.并用X射...
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