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[期刊论文] 作者：兰天平,
来源：天津科技 年份：2020
B2O3的吸水性特别强,水含量不同,其与p BN坩埚浸润状态也会有所不同,B2O3与p BN坩埚壁的浸润状态对晶体生长能否成功非常重要。同时,B2O3添加量的多少也会影响晶体生长中熔体...
[期刊论文] 作者：兰天平,
来源：烹调知识 年份：2018
导读：鸡蛋是天然食物中，富含大量的维生素和矿物质及有高生物价值的蛋白质。但是你知道吗？用错误的方法吃鸡蛋，这么好的营养品就会变成毒品！ 1. 生吃 有些人觉得，食物一经煮熟，就会流失其营养价值。所以很多人喜欢生吃蔬菜、生吃海鲜。同样，有人认为生吃鸡蛋可以......
[期刊论文] 作者：兰天平,
来源：中国科技投资 年份：2019
冬季混凝土施工非常复杂,为了保证冬季混凝土施工的质量,有必要掌握施工技术要点,控制施工过程中各环节的质量,在严格按照冬期混凝土施工计划施工的前提下,还应在整个施工过...
[学位论文] 作者：兰天平,
来源：天津大学 年份：2018
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[期刊论文] 作者：周春锋,兰天平,孙强,,
来源：天津科技 年份：2015
介绍了HB、LEC、FEC、VCZ、VB、VGF砷化镓单晶炉及生长技术,分析了各种生长技术的优缺点及发展趋势。HB砷化镓多晶合成和单晶生长可以同时完成,生长温度梯度小、位错小、应力...
[期刊论文] 作者：林健,兰天平,牛沈军,,
来源：电子工业专用设备 年份：2010
低阻GaAs单晶的获得,一般是通过掺入掺杂剂Si来实现的。本文分析了VB-GaAs单晶的掺Si机理及作用,并在理论掺杂公式的基础上,通过实验和理论分析,确定了掺杂剂量的经验关系式...
[期刊论文] 作者：孙强,兰天平,周春锋,,
来源：天津科技 年份：2015
VCSEL(垂直腔面发射激光器)阵列是一种面发射的化合物半导体有源器件,已广泛应用于激光制导、激光测距等军事电子领域。为了减少发射单元之间的高频串扰,VCSEL阵列必须生长在...
[期刊论文] 作者：杨艺,周春锋,兰天平,
来源：天津科技 年份：2016
GaAs单晶材料已成为一种重要的微电子和光电子基础材料,应用广泛。为了降低半绝缘砷化镓单晶片表面的亮点缺陷,对砷化镓晶片在不同温度和不同砷蒸汽压条件下进行了热处理,研...
[期刊论文] 作者：林健,牛沈军,兰天平,,
来源：半导体技术 年份：2007
半导体GaAs单晶材料通常用于制作激光二极管和高亮度发光二极管。对于激光二极管而言，特别需要低位错材料。简要阐述了垂直布里奇曼（VB）法生长GaAs单晶材料的动力学原理及VB-GaA......
[期刊论文] 作者：牛沈军,王建利,兰天平,,
来源：半导体技术 年份：2006
结合VB-GaAs晶体生长工艺，对工艺中掺Si浓度的控制进行了探讨，提出了掺杂计算的修正因子。针对不同浓度要求的材料，通过工艺控制可提供满足要求的优质材料。...
[期刊论文] 作者：周春锋, 兰天平, 周传新,
来源：半导体技术 年份：2016
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[期刊论文] 作者：兰天平, 边义午, 周春锋, 宋禹,,
来源：人工晶体学报 年份：2020
为了获得高电阻率及迁移率的半绝缘GaAs单晶材料,采用经高压及水平合成不同工艺制得的GaAs多晶料,进行垂直梯度凝固(VGF)法半绝缘GaAs单晶生长,测试和分析相应单晶片的EL2浓...
[会议论文] 作者：牛沈军,兰天平,丰梅霞,李文江,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
本文简要对比了几种GaAs体单晶材料生长工艺的优劣,详细介绍了VB工艺生长过程及其关键技术,介绍了目前国内的VB—GaAs单晶研究水平....
[期刊论文] 作者：王建利,牛沈军,兰天平,周春峰,孙强,,
来源：科技创新导报 年份：2010
文章介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料——砷化镓。从砷化镓材料的基本性质、参数出发,深入浅出地讨论了其相关性质形成的机理,以及与这些性质、参数相对应的有关半导体器件方...
[会议论文] 作者：牛沈军,常玉璟,丰梅霞,王建利,兰天平,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
结合VB-GaAs晶体生长工艺、对工艺中掺Si浓度的控制进行了探讨,提出了实际的修正因子.针对不同浓度要求的材料,通过工艺控制可提供满足要求的优质材料....
[会议论文] 作者：兰天平,王建利,丰梅霞,常玉璟,牛沈军,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
本文简要介绍了在自制的VB单晶炉上研制3英寸半绝缘砷化镓单晶情况.使用石英-PNB晶体生长系统,通过我们的工艺研究,生长出了半绝缘性能及热稳定性好的非掺半绝缘砷化镓单晶,而且位错密度至少要比LEC工艺低一个量级.......
[期刊论文] 作者：王建利,孙强,牛沈军,兰天平,李仕福,周传新,刘津,,
来源：人工晶体学报 年份：2007
用于激光二极管（LD）和发光二极管（LED）的GaAs晶片,要求其具有低的位错密度（EPD）。为了获得低位错密度的GaAs晶片,必须先得到低位错密度的体单晶。我们采用垂直布里奇曼（VB）法分别得到......
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